衣帽架厂家
免费服务热线

Free service

hotline

010-00000000
衣帽架厂家
热门搜索:
技术资讯
当前位置:首页 > 技术资讯

限制MOSFET的开关速度因素

发布时间:2020-06-30 16:37:21 阅读: 来源:衣帽架厂家

我们知道MOSFET的开关速度相对于三极管已经有相当大的改善,可以达到数百K,甚至上M;但我们想想,当我们需要MOSFET有更高的开关速度,更小的损耗时,限制MOSFET的开关速度有哪些因素在作怪呢?

1、MOSFET的G极驱动电阻引起的延时2、PCB Layout引起的寄生电感影响驱动电流3、MOSFET封装本身引起的ESR与ESL4、MOSFET的米勒效应但是MOSFET开关频率越高,EMC越难处理。频率一高,LAYOUT就要注意。D也要加磁珠了。1.驱动电阻可以反并二极管2.增大驱动电阻,EMC会表现稍好一点。这个是经过验证了的。3.驱动电流不是问题,现在就3842那么老的都有1A。专业芯片就更不用说了。4.自己做驱动电路用变压器其实很简单的。也很便宜。老板也会很高兴。SFET本身的结电容啥的那是没得改了,出厂的时候就定下来了。只有认命了,要不就换大厂牌的,但是价格又上去了。这里面需要权衡。谁都想用RDS小的COOLMOS啊。有时候却要考虑成本。其实用COOLMOS可以适当减小发热,散热器减小,效率提高,也可以省一点成本的。6.米勒电容,没办法啊。YOUT的时候尽量走短一点。如果是铝基板散热就很好兼顾这点。如果是用散热片,从变压器,PWM IC到主MOSFET还是有一段距离的,频率一两百K看不出来,但是频率几百K的时候就郁闷了。高压功率器件速度越来越快,最早的SCR/BJT速度是大约4~20微秒开关速度;后来BJT/IGBT提高到150纳秒左右,现在实际可以达到8纳秒水平。在不久将来;会达到1纳秒左右。驱动要求也越来越高;仅以驱动线长为例,早期的驱动线没啥特别要求;只要双绞就基本够用了。后来的高速IGBT/FET的栅线;除双绞外;长度被限制在10CM以内。从现在的测试看;要求未来的高速器件的驱动线被限制在1CM以内。就这驱动线长的问题;估计大多数工程师只是经验所谈;没多少人能从理论上说清楚而自觉的设定工程参数。理论的缺乏和经验口口相传的不确定性;直接拖了应用后退。找各种理由去解释?就上面提出的假设;多是出自于此。

济宁防静电工服订做

潍坊工作服制做

枣庄西装制作

烟台工作服制作

相关阅读